图片来源：Georgia Institute of Technology

近日，在一项发表于《自然》（Nature）的研究中，天津大学和美国佐治亚理工学院合作创造了世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体。此前，科学家一直没有制备出具有带隙的石墨烯半导体。如今，研究团队使用一种特殊的熔炉，在碳化硅晶圆上生长出了外延石墨烯。外延石墨烯可以与碳化硅发生化学键合，由此开始表现出半导体特性。然后，他们将一些原子放在合成的石墨烯上，利用掺杂技术向该系统“捐”电子，以测量其电子特性。结果表明，他们的石墨烯半导体的迁移率是硅的10倍。换句话说，电子以非常低的阻力移动，这在电子学中意味着更快的计算。这种新的石墨烯半导体，或能带来比如今硅芯片性能更好的芯片，并为开发全新电子产品打开大门。（Georgia Institute of Technology，科技日报）